平易近进中心:建议将功率半导体新材料研发列入国度筹划

作者: 收集侠 分类: 科技聚焦 发布时间: 2020-05-22 04:19

  财联社5月21日讯,据人平易近网发布的中国同一阵线消息网结合中国共产党消息网推出的“2020年全国两会各平易近主党派提案选登”报导显示,平易近进中心拟提交“关于推动中国功率半导体家当迷信生长的提案”。

  提案中提到,以后从全球功率半导体市场看,一方面传统的硅材料功率半导体依然有巨大年夜的生长空间,另外一方面以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料正蓬勃生长,而我国碳化硅、氮化镓功率半导体器件研提议步晚,在技巧上仍有很大年夜差距。可喜的是,在国度多项科研筹划的搀扶下,这方面曾经大年夜幅减少了与国际的技巧差距,并取得了很多成就。

  随着工业、汽车、无线通信和花费电子等范畴新应用的赓续出现和节能减排需求日趋急切,我国功率半导体有宏大年夜的市场需求,轻易催生新家当新技巧,在国度政策利好下,功率半导体将成为“中国芯”的最好冲破口。

  为此,平易近进中心建议:

  一、进一步完美功率半导体家当生长政策,大年夜力搀扶硅材料功率半导体芯片技巧攻关,立项支撑硅材料功率半导体材料、芯片、器件等设计和制造工艺流程技巧。经过多年构造和生长,我国在硅材料 IGBT芯片技巧方面有必定的技巧基本和沉淀,可以将集中冲破硅材料6代功率芯片产品设计及批量制造工艺技 术作为生长重点,采取先易后难、处理“有没有”成绩的生长战略,尽快完成功率半导体芯片自立供给。

  2、加大年夜新材料科技攻关。大年夜数据传输、云计算、AI 技巧、物联网,包含下一步的动力传输,对搜集传输速度及容量提出了愈来愈高的请求,大年夜功率芯片的市场需求异常大年夜。从家当生长趋势看,碳化硅、氮化镓等新材料应用于功率半导体优势明显,是下一代功率半导体的核心技巧偏向。

  今朝碳化硅、氮化镓市场处于起步阶段,国际厂商与海外传统巨擘之间差距较小,国际企业有望在外乡市场应用中完成弯道超车。

  一是要把功率半导体新材料研发列入国度筹划,周全安排,极力抢占计谋制高点;

  二是引导企业积极满足将来的应用需求,停止前瞻性构造。推动功率半导体龙头企业出力霸占一批家当生长关键技巧、应用技巧困难,在国际竞争中抢占先机;

  三是要防止对新概念的过热炒作。新材料从发明潜力到家当化,须要建立起高效的产学研体系,打造加倍开放包涵的投资情况。

  3、谨慎支撑收买国外功率半导体企业。经过过程收买很难完成完全学会和控制国际先辈的功率半导体芯 片设计及制造工艺技巧,同时海内工厂制造的产品依然存在着没法出口到中国的风险。

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